半桥：采用单路驱动技术，利用单IGBT逆变模块分别承接转化交流电的上玄波，结合相应附加电路配置吸收下玄波电流进行放电补充，产生的高频电流波形相对完整;
全桥：采用双路驱动技术，利用双IGBT逆变模块分别承接转化交流电的上玄波和下玄波电流，产生的高频电流波形完整、清晰、稳定;
对相应料筒负载的感应上
半桥：因电流转化技术配置效率稍低，可负载较低电感负荷，电转热效率相应较低
全桥：因电流转化技术配置效率高，可负载较高电感负荷，电转热效率相应较高
功率段表现上
半桥：对应档位功率分配较模糊，反应相对合理
全桥：对应档位功率分配清晰、明确，反应迅速
发热面表现上
半桥：因可负载负荷较低，发热面较小、均匀性稍逊、层次感分明，火焰仿真效果稍逊
全桥：因可负载负荷较高，发热面较大、较均匀、层次感能做到循序递减，火焰仿真效果明显
元件损耗上
半桥：各元件负担较重，损耗比相对较大，寿命相对合理
全桥：各元件负担较合理，损耗比较小，寿命较长
故障率上
半桥：保护电路设计较简化，维修率(小元件)相对较高
全桥：保护电路设计较复杂，周全，维修率较低。
